高密度量子ドットを用いた1.3μm帯ストライプレーザの低しきい値電流動作

摘要

今回，本研究で作製された高密度かつ高均一な量子ドット活性層の光学特性を測定した．低密度サンプルに比べて10倍の発光強度増強が観測され，また早い発光緩和過程も同時に測定された．光学特性上，高密度かつ高均一量子ドットの優位性を証明した．また，全面酸化狭窄構造を試作する事で，13.4mAの低しきい値電流動作を実証した．さらにHEM型ストライプ構造を提案，試作する事で，しきい値電流7mAとミラー損失16cm~(-2)において，10mA以下のしきい値電流動作を始めて実証した．この時，量子ドット1個あたりのしきい値電流はこれまでより低い値が実現されている．以上の結果を表1にまとめる．なお，本研究は総務省SCOPEの援助により行った．