低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F2クロスボイント型相変化メモリ

摘要

We have fabricated the cross-point phase change memory with a selection diode made of poly-Si. The selection diode was fabricated using a low-thermal-budget process that achieved low contact resistivity, high on-current density of 8 MA/cm~2 and low off-current density of 100 A/cm~2. The improvement in the properties of poly-Si diode makes the set/reset operation of the cross-point 4F~2 cell possible, leading to the size reduction of phase change memory chip.%ポリSiダイオード駆動のクロスボイント型相変化メモリの試作・電気特性評価を行った。低接触抵抗で駆動電流が8MA/cm~2以上と大きく、逆バイアスオフ電流が100A/cm~2以下と小さい選択素子ポリSiダイオードを低熱負荷プロセスで作製した。開発したポリSiダイオードにより、相変化メモリチップの面積縮小と低コスト化を実現するクロスボイント型4F~2相変化メモリセルのセット/リセット動作を可能にした。