セラミック絶縁層形青色発光La_2O_3：Bi無機薄膜EL素子

摘要

La_2O_3：Bi蛍光体薄膜とBaTiO_3セラミックシートを使用した新しい青色発光薄膜EL素子を開発した。ZnS電子加速層を挿入したもしくは挿入しない二種類のセラミック絶縁層形薄膜EL素子を作製した。Bi含有圭が約2．5at．％で、基板温度約250℃で成膜した後に約1000℃で熱処理を施して作製されたLa_2O_3：Bi薄膜とZnS薄膜を積層した構造を有する薄膜EL素子を1[kHz］の正弦波交流電圧で駆動した場合に、最高発光輝度46．9cd／m~2が得られた。この素子はCIE色度座標値（X＝0．17，y=0．27）に相当する青色ELを呈した。%Blue-emitting thin-film electroluminescent (TFEL) devices fabricated using a La_2O_3:Bi thin film and a thick BaTiO_3 ceramic sheet have been newly developed. Two types of thick-ceramic-insulating-layer-type TFEL devices were fabricated with or without a ZnS thin-film carrier acceleration layer. A luminance of 46.9 cd/m~2 was obtained in a TFEL device fabricated with a ZnS thin-film layer and La_2O_3:Bi thin-film emitting layer deposited with a Bi content of about 2.5 at.% at approximately 250℃ and postannealed at approximately 1000℃ and driven at 1 kHz. The device showed blue EL emission corresponding to CIE chromaticity coordinates of (x=0.17, y=0.27).