深堀エッチングによるシリコン導波路上ブラッググレーティングのフィルタ特性改善

摘要

WDM による通信容量の増大に伴い，SOI（Silicon on Insulator）基板上Si導波路を用いた低コストかつ高機能な光デバイスが注目されている.我々はこれまでにDeep-RIEによって作製した高結合係数Siグレーティングにより，WDM用インターリーバとして機能するマイケルソン干渉計型フィルタを実現している．今回，ラフネスの少ない深堀グレーティングを作製することで約25曲の透過コントラスト，約6nmの帯域幅が得られ，グレーティング特性の大幅な向上を行うことができたので報告する．%With the increase of communication capacity by WDM, low-cost and high-performance optical devices using Si waveguide on silicon-on-insulator (SOI) substrates attract attention. So far we fabricated the Michelson Interferometer-type filter which works as a WDM interleaver consisting of large coupling-coefficient Si grating made by Deep-RIE. In this paper, we report the improvement of grating characteristics, such as a large transmission contrast of about 25dB and a band width of about 6nm for the grating by deep grating with reduced roughness.