パルス電圧印加によるテトラセン電界効果トランジスタ内の電界発光メカニズム

摘要

By using electric field induced optical second harmonic generation (EFISHG), we clarified the mechanism of electroluminescence (EL) from tetracene field-effect transistor under a pulse voltage application. The results indicate that the electric field formed by accumulated holes made electrons be injected from metal electrode and the injected electrons recombined with accumulated holes leading to the EL emission. We also clarified the details of trapped hole behavior by using EFISHG measurement. This technique is useful to understand carrier behavior leading to EL.%テトラセン電界効果トランジスタ（FET）に対して、パルス電圧を印加した際に観測されるエレクトロルミネッセンス（EL）の発光メカニズムを明らかにするため、電界誘起光第2次高調波発生（EFISHG）を利用した電界観測を行った。測定結果から、材料内に蓄積された正孔が形成する電界によって電子が自発的に材料内に注入されるため、これらが蓄積している正孔と再結合し、ELが観測されることを明らかにした。また、このような電界観測技術を利用することで、材料内に残留しているトラップ電荷の詳細を明らかにすることも可能であり、FET内でのキャリア挙動を詳細に解析できることを示した。