ユニバーサルメモリを目指した積層型MRAMの検討

摘要

ユニバーサルメモリの特徴である低コスト、高速性能、不挿発性を併せ持つドレイン部分に情報を記憶するスピントランジスタを用いた積層型NOR MRAMを提案し、読み出し速度を見積もった。3側面をチャネルとして用いメモリセルの内側にゲート電極を取り囲む形の縦型トランジスタを用いる事で9F2の微小なセルサイズでNOR型の積層構造を実現し高速な動作を可能とした。%In this paper stacked NOR type MRAM with vertical spin transistor has been newly proposed. Word line scheme surrounded by vertical spin transistor enable to realize small cell size of 9F~2 and fast random access time competitive to DRAM.