Si基板上p-InGaN／AIGaN／GaNHEMTのノーマリオフ特性

摘要

Si基板上AIGaN／GaNHEMTについてp-InGaN cap層の検討によりノーマリオフ化を図った。p-InGaN cap層のMgの活性化のためアニール温度を700℃から850℃まで50℃間隔から変化させ諸特性を測定したところ、活性化アニール温度800℃において聞値電圧V_(th)が1．48Vを示し、ノーマリオフ特性として比較的良好な値を得ることができた。従来のSi基板上AIGaN／GaNHEMTに比べ3V正の方向にシフトしたことが確認できた。またp-InGaN層の結晶成長温度700℃から1000℃まで50℃間隔から変化させ諸特性を測定したところ、成長温度800℃においてV_(th)が1．62Vを示しノーマリオフ特性を得ることができた。また、ゲート電圧を3．5Vまでかけることができた。%Normally-off AlGaN/GaN HEMTs with Mg-doped p-InGaN cap layer were grown and HEMT devices were processed at different active annealing temperatures (700℃ to 850℃). For activation annealing at 800℃, a good pinch-off at a device threshold voltage of 1.48 V was obtained with good pinch-off characteristics. A positive shift of 3 V for our devices was confirmed when compared to the already existing AlGaN/GaN HEMTs. Also HEMTs with p-InGaN grown at different growth temperature (700℃ to 1000℃) were studied and a V_(th) of 1.62 V was observed for p-InGaN grown at 800℃. Further these HEMTs demonstrate a good I_(DS)-V_(DS) up to V_G of+3.5 V.