0.5V DRAM アレイ向け低しきい値CMOS プリアンプ

摘要

低電力かつ高速な大容量DRAM アレイの実現に向け，低しきい値CMOS プリアンプを開発した。低 しきい値CMOS プリアンプを適用したセンスアンプを用いることにより，データ線電圧が0．5Vのときのセンス時間を，従来プリアンプを適用したセンスアンプと比べ62％短くできた。また，ライトサイクル時に低しきい値CMOS プリアンプを一時的に活性化することにより，ライト時間を活性化しない場合と比べ72％短くできた。さらに，データ線電圧を0.8V から0.5V に低減することにより，アレイ動作電流を12％低減できた。%A novel low-V_T CMOS preamplifier was developed for low-power and high-speed gigabit DRAM arrays. The sensing time of the sense amplifier with the proposed preamplifier at data-line voltage of 0.5 V is 62% shorter than that of the sense amplifier with a conventional preamplifier. By activating the proposed preamplifier temporarily during the write cycle, writing time is 72% shorter compared to the case without the proposed preamplifier. The operating current of a memory array with the proposed preamplifier is reduced by 12% by reducing data-line voltage from 0.8 to 0.5 V.