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【24h】

140GHz帯パッシブイメージング用受信ICとアンテナー体型サブアッセンブリ: 小型パッシブイメージングシステムへ向けて

机译:140GHz波段无源成像接收器IC和天线组件:朝着紧凑型无源成像系统发展

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摘要

A four-channel receiver IC for 140-GHz passive millimeter-wave imaging system was developed using 0.1 yon InP-HEMT and double layer interconnection process. The IC has four low-noise amplifiers (LNA), Dicke switches, and detectors using schottky barrier diode. Dick switch has ldB insertion loss and 8 dB on-off ratio. The 5-stage LNA has 30 dB gain and 5 db noise figure. The total power consumption of the IC is 0.09 W / channel. The IC was assembled with an antenna array fabricated on a polyimide membrane using thick double side copper metal layer. The antenna gain is typically 9 dB and insertion loss is 5 dB. This sub-assembly has a print board connector, so we can easily connect quad-channel receiver to the print board sockets as desired number.%動作周波数140GHzの4chパッシブイメージング受信ICを,ゲート長0.1mmのInPHEMT及び二層配線プロセスで作成した.ICには4チャネル分の低雑音アンプ(LNA),デイツケスイッチ,ショットキーダイオード検波器が搭載されている.デイツケスイッチの挿入損失は1dB,on-off比は8dBである.5段のLNAは挿入利得30dB,雑音指数5dBである.ICの消費電力は0.09W/受信チャネルである.ポリイミドを用いた両面Cu薄膜アンテナ基板とICをサブアッセンブリとして実装した.Cu薄膜アンテナのアンテナ利得は9dB,挿入損失は5dBである.このサプアッセンブリにはプリント基板コネクタも実装されており 多くのサブアッセンブリをプリント基板上に直接接続できる.
机译:采用0.1 yon InP-HEMT和双层互连工艺开发了用于140 GHz无源毫米波成像系统的四通道接收器IC,该IC具有四个低噪声放大器(LNA),Dicke开关和使用肖特基势垒的检测器Dick开关具有1dB的插入损耗和8dB的开关比; 5级LNA具有30dB的增益和5db的噪声系数; IC的总功耗为0.09W /通道。天线阵列使用厚的双面铜金属层在聚酰亚胺膜上制成,天线增益通常为9 dB,插入损耗为5 dB,该子组件具有印刷板连接器,因此我们可以轻松地将四通道接收器连接到天线印刷电路板插座是所需的数量。InPHEMT采用栅极长度为0.1mm的双层通道工艺制造了工作频率为140GHz的%4通道无源成像接收器IC。该IC配备有4通道低噪声放大器(LNA),Daisuke开关和肖特基二极管检测器。 Daisuke开关的插入损耗为1 dB,开关比为8 dB。 5级LNA的插入增益为30 dB,噪声系数为5 dB。该IC的功耗为0.09W /接收通道。安装了使用聚酰亚胺的双面Cu薄膜天线基板和IC作为子组件。 Cu薄膜天线的天线增益为9dB,插入损耗为5dB。印刷电路板连接器也安装在该子组件上,并且许多子组件可以直接连接到印刷电路板上。

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