超微細化を実現する側壁ダブルパターニングのためのレイアウト設計手法

摘要

We propose a new layout method for the damascene process of self-aligned double patterning (SADP). In this method, we prepare a fundamental layout data painted in different two colors interchangeably. We can connect arbitrary patterns of one color of the two and at the same time, patterns of the other color will be cut to avoid two colors' crossing each other. Additionally, we can also cut arbitrary patterns in the layout. According to the above connecting and cutting rules, the two colors in the resultant patterns are kept as initially colored interchangeablly, and we can select either of the two colored patterns as mandrel.%光リソグラフィの限界を超えたパターンを露光するために近年様々な技術が提案されており，その代表的なものにダブルパターニング技術がある．ダブルパターニング技術にはピッチスプリットと側壁ダブルパターニングの2つがあり，後者の側壁ダブルパターニングは側壁加工技術を用いて光リソグラフィでは露光できないサイズおよびピッチのパターンを形成する技術である．しかし側壁加工技術には，リソグラフィで露光するマスクパターンと最終的にシリコンウエハ上に形成される回路パターンが異なるという特徴があり，設計者は最終的な回路パターンを想定しながらマスクに描画するパターンを設計しなければならなず，これはとても困難な作業である．そこで本稿では，2色に塗り分けられたベースとなるレイアウトパターンに対して定められた設計ルールのもと設計者が配線の接続および切断操作を行い，その結果得られたレイアウトパターンからマスク描画用のパターンを容易に求めることが可能な，側壁ダブルパターニングのための設計手法を提案する．