サファイア基板の複素誘電率の面内異方性測定

摘要

我々は、円筒空洞共振器のTE_(111)モードを用いた誘電体積層基板の複素比誘電率（比誘電率および誘電正接）の面内異方性の測定法を提案した。本論文では、超伝導マイクロ波デバイスとして広く用いられるR面サファイア基板について複素比誘電率の面内異方性の測定を行った。その結果、本方法は面内の比誘電率に1以上の大きな異方性がある材料についても有効であることを実証した。%We proposed a measurement method to evaluate complex permittivity anisotropy in plane for dielectric laminate substrates, using the TE_(111) mode in a circular cavity. In this paper, we measured complex permittivity anisotropy in plane for R-plane-cut sapphire substrates used for superconductive micro wave device. As a result, it was verified that this measurement method is useful for materials which have big relative permittivity anisotropy in plane.