Significant expansion and effective use of optical frequency resources are believed to be an important technology for future optical communication. Recently, we therefore focus on a development of the novel optical frequency resource in a Thousand-band (T-band; 1000-1260nm), and O-band (1260-1360nm) with use of attractive photonic devices and materials. The InAs/InGaAs quantum dot (QD) structure is considered to be useful optical gain materials in those wavebands. In this paper, two important-techniques of the sandwiched sub-nano separator (SSNS) growth technique and a modulated QD structures were proposed to obtain a high-quality and broadband optical gain. We also constructed an external-cavity type wavelength-tunable QD light source using the broadband QD optical-gain material. As a result, an ultra-broadband wavelength-tunability was successfully demonstrated in the 1.2-1.3 μm wavebands using the developed wavelength-tunable QD light source.%新たな光周波数資源の開拓は、将来の光情報通信容量拡大の基盤技術となる。我々は、光情報通信応用を目的とした新周波数帯域としてTLband（1000-1260nm）とO-band（1260-1360nm）に注目し、この帯域で動作する光ゲインデバイスの研究開発を推進している。今回、この新光周波数帯域で動作する広帯域光ゲイン材料として、GaAs基板上のInAs/InGaAs半導体量子ドット構造を作製した。この光ゲイン材料開発では、量子ドット構造高品質化のためのサブナノ層間分離技術と、広帯域動作のための変調量子ドット構造がそれぞれ新規結晶成長技術として用いられた。さらに、この広帯域量子ドット光ゲイン材料と狭線幅光学フィルタを組み合わせ、外部光共振器構造を構築した。その結果、波長1.2-1.3μm帯の広帯域で動作する波長可変量子ドットレーザの開発に成功した。
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