化合物半導体導波路を用いた波長変換素子の進展

摘要

AlGaAs waveguiding devices for wavelength conversion in the 1.55 μm region will be reported. We have fabricated high-quality periodically-inverted AlGaAs waveguides using low-temperature MBE regrowth technique, and realized record-high normalized conversion efficiency of 970 %/W-cm~2 in quasi-phase-matched (QPM) second-harmonic generation. We have achieved birefringent phase matching in high-index-contrast (HIC) thin AlGaAs waveguides for the first time. We have proposed a novel efficient device based on 4-QPM and modal phase matching in folded HIC AlGaAs waveguide.%AIGaAs 導波路を用いた1.55μm 帯波長変換素子について報告する。周期空間反転AIGaAs導波路は、AlGaAs 低温MBE成長を導入することにより高品質化でき、AIGaAs 導波路 QPM デバイスにおける最高の規格化変換効率970％/W.Cm~2 を達成した。新しく提案した高屈折率差扁平AIGaAs導波路で複屈折位相整合第二高調波発生が初めて実現できた。モード位相整合とを擬似位相整合を組み合わせた高屈折率差AIGaAs 折り畳み導波路を新たに提案した。