単結晶AIN バッファー層を用いた近紫外LED の特性

摘要

近紫外LEDを励起光源として用いた白色LEDは、演色性が高いことで知られているが、電流増大による効率低下が少ない特徴を生かして、高輝度な固体照明の実現も期待できる。高温成長AIN バッファー層を用いた低欠陥結晶成長技術と電流均一性に優れた素子構造を採用して、可視光LED 並みの効率を持つ390nm 帯の近紫外LED を作製し、光出力の電流依存性を調べた。その結果、量子井戸の厚膜化によって高電流領域における効率低下を抑制できることが分かり、0.35A および3A 動作時においてそれぞれ0.6W、4.3 Wの光出力が得られた。%We have developed near-UV LEDs which adopted high-quality GaN growth technique using high-temperature-grown A1N as a buffer layer and superior chip structure in current uniformity and realized similar efficiency as regular visible LEDs. Current dependence of light-output power revealed that degradation of an efficiency at high current region could be suppressed by using a thick quantum well and showed high power characteristics of 4.3 W at 3 A.