AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製

摘要

AlN/GaN多層膜は、Ⅲ族窒化物半導体において大きな屈折率差が利用できる組み合わせであり、少ない層数で高反射率反射鏡の実現が期待できる。一方、AINとGaNの格子不整合によるクラックが導入されるため、大面積にわたって高い反射率を有する多層膜反射鏡の作製が困難である。今回、従来用いられるGaNテンプレートの代わりにAINテンプレートを用いて、クラックの原因であると考えられる引っ張り歪を抑制した多層膜反射鏡の作製を初めて行った。30ペア積層した結果、高反射率（97.5%）を達成し、かつクラックの大幅な抑制を実現することができた。%AIN/GaN multilayer structures have relatively large refractive index differences in the group-III nitride semiconductors, which are expected to obtain high reflectivity distributed Bragg reflectors (DBRs) with a relatively small number of pairs. On the other hand, due to the cracks caused by the lattice mismatch, it is difficult to fabricate DBRs having high reflectivities in a large area. In this paper, we fabricated AIN/GaN DBRs on A1N templates for the first time in order to suppress the cracks by minimizing the tensile strain in the DBR layers. A high reflectivity of 97.5% was achieved in the 30 pair AIN/GaN DBR on A1N template.