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【24h】

3次元積層プロセッサ·アーキテクチャの研究動向

机译:3D堆叠处理器架构的研究趋势

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摘要

3D integration is one of the hottest topics in wide area such as VLSI device, computer architecture, design methodology, and so on. By means of stacking multiple dies, we can integrate more functions into a single chip. There are many advantages in this kind of stacking approaches. First, we can reduce the negative effects of long wires in terms of latency and power consumption. Second, it is easy to stack multiple dies which are fabricated in different process technologies, such as DRAM and high-speed logics. Third, we can achieve high on-chip communication bandwidth by exploiting TSVs (Through Silicon Vias). In this talk, I will introduce the trends in research targeting on 3D integrated microprocessor and memory architectures.%マイクロプロセッサの継続的な発展を可能にする新しいアプローチとして3次元積層デバイスの活用が国内外で注目を集めている.複数ダイを製造後に積層することにより,微細化に頼らない集積度の向上が可能となる.また,これまでの2次元実装LSIにおいては,回路の大規模化に伴いブロック間接続のための配線が長くなり,引いては動作周波数の低下や消費電力の増大を招くといった問題があった.これに対し,3次元積層LSIでは,3次元方向へ回路を集積することで短い配線長を維持しつつ,回路を大規模化できるといった利点がある.これに加え,DRAM とロジックのように異なるプロセスを製造した複数のダイを積層し,これらの間を多数の貫通ビア(TSVこThrough Silicon Via)で接続することにより,従来の複数チップ構成では実現し得なかった極めて高いメモリバンド幅の活用が可能となる.本講演では,特にマイクロプロセッサとメモリに焦点を当て,3次元積層アーキテクチャの研究動向を紹介する.
机译:3D集成是VLSI器件,计算机体系结构,设计方法等广泛领域中最热门的主题之一,通过堆叠多个管芯的方式,我们可以将更多功能集成到单个芯片中,这种方式有很多优势。首先,我们可以减少长线在延迟和功耗方面的负面影响;其次,很容易堆叠使用不同工艺技术(例如DRAM和高速逻辑)制造的多个管芯。 ,我们可以通过利用硅通孔(TSV)来实现较高的片上通信带宽。在本演讲中,我将介绍针对3D集成微处理器和存储器架构的研究趋势。%支持微处理器的持续开发三维堆叠器件的使用作为一种新方法已在日本和海外引起了关注。通过在制造后堆叠多个管芯,可以在不依赖于小型化的情况下提高集成度。而且,在现有的二维安装LSI中,用于连接块的布线随着电路规模的增加而变长,这继而导致工作频率的降低和功耗的增加。另一方面,3D堆叠的LSI的优点在于,通过在3D方向上集成电路,可以在保持较短的布线长度的同时扩大电路。除此之外,通过堆叠由诸如DRAM和逻辑之类的不同工艺制造的多个管芯,并将它们与大量的通孔(TSV,Through Silicon Vias)连接,可以实现常规的多芯片配置。可能利用无法实现的极高存储带宽。在本演示中,我们将重点介绍微处理器和存储器,并介绍3D堆栈体系结构的研究趋势。

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