[ポスター講演]強誘電体キャパシタを用いた6T4CシャドウSRAMの高性能化技術

摘要

近年，農業·医療·防災といった分野において，実フィールドの情報を広範囲にカバー可能な，センサネットワーク技術が注目されている。各センサノードはバッテリの交換が困難なため，極低電力な動作が求められる。 中でも，待機時電力の大きなメモリの低消費電力化技術が重要視されている。 本研究では，6T4Cシャドウメモリにおける高性能化回路技術の提案を行う。強誘電体キャパシタを用いた6T4C SRAMは，アクティブ時に高速なSRAMとして動作し，スリープ時にはFe素子にデータをストアし不揮発メモリとして動作出来る。従来6T4C SRAMではFe素子の追加により，SRAM動作時の消費電力·サイクルタイムが劣化するという問題があった。本論文では，シミュレーションにより提案技術の有効性を示す。