ランダム•テレグラフ•ノイズに起因した組合せ回路遅延ゆらぎに対する基板バィアスの影響

摘要

近年のLSI素子の微細化により、NBTIおよび、RTNなどのゲート絶縁膜の信頼性が回路の信頼性に与える影響がますます深刻になってきた。本研究ではRTNが回路の信頼性に与える影響を40nm CMOSテクノロジにおいて試作した回路によって実測した結果に基づいて報告する。微細なサイズのインバータで構成される組合せ回路遅延ゆらぎを1,655個のリング発振回路で実測するとともに、基板バイアスがRTNによる遅延ゆらぎに対して与える影響を明らかにした。%Designing reliable systems has become more difficult in recent years. In this paper, statistical nature of RTN-induced delay fluctuation is described by measuring 1,655 ROs fabricated in a commercial40 nm CMOS technology. We also investigated the impact of body-biasing technique on RTN-induced circuit delay fluctuation.