UV/O_3アシスト熱処理法による塗布型酸化物FETの特性向上

摘要

We proposed the organic light emitting transistors (OLETs) with transparent ZnO FET. In this study, we fabricated wet processed ZnO film as a semiconductor layer, and investigated the effects of UV/O_3 and thermal treatment on ZnO FET characteristics. The relation between the carrier mobility (μ) and thermal treatment temperature of ZnO films indicates that the μ is almost proportional to treatment temperature, and the UV/O_3 treatment assists to lowering the thermal treatment temperature. These results demonstrate that this treatment enable to fabricate OLETs on the flexible films such as plastic films.%有機ELディスプレイとして優位性を有するアクティブマトリクス駆動型の新型構造素子を提案した。また駆動用トランジスタの半体層として塗布型ZnO系材料に着目し透明ZnOトランジスタを作製した。一般にZnO薄膜は熱処理を行うことで特性の向上が見込まれるが、プラスチック基板等に対応するためには加熱温度を可能なだけ低温化させることが望ましい。そこで今回はUV/O_3アシスト熱処理法を行い、プロセス温度の低温化を実現した。