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タイミング最適化非同期クロック生成器を搭載した40nm超低電圧SAR ADC

机译:具有时序优化的异步时钟发生器的40nm超低压SAR ADC

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摘要

本研究では、最適タイミング非同期クロック生成器を搭載した、超低電圧•超低消費電力の逐次比較型(Successive Approximation Register; SAR)アナログデジタノレ変換器(Analog to Digital Converter)を提案する。クロック生成器の遅延量をキヤリブレーションすることで、DACセトリングの待ち時間がデバイスミスマッチに合わせて最適化される。チップは40nmのCMOSプロセスを用いて試作し、2.048MS/sにおいて有効ビット数(Effective Number of Bits; ENOB) 7.5-bit、FoM (Figure of Merit) 8.75fJ/conv.を達成した。%This paper presents an ultra low power and low voltage successive approximation register (SAR) analog to digital converter (ADC) that uses an adaptive timing optimized asynchronous clock generator. By calibrating the delay time of the clock generator, the DAC settling time is optimized to counter the device mismatch. Test chip has been fabricated in 40nm standard CMOS process and achieved 7.5-ENOB (Effective Number of Bits) and figure of merit (FoM) of 8.75-fJ/conversion-step with 2.048MS/s.
机译:在这项研究中,我们提出了一种具有超低电压和超低功耗的逐次逼近寄存器(SAR)模数转换器,并配备了最佳定时异步时钟发生器。通过校准时钟发生器的延迟,针对器件失配优化了DAC建立等待时间。该芯片采用40nm CMOS工艺进行原型制作,在2.048MS / s的条件下,有效位数(ENOB)为7.5位,FoM(品质因数)为8.75fJ /转换。本文介绍了一种超低功耗,低电压逐次逼近寄存器(SAR)模数转换器(ADC),它采用了自适应时序优化的异步时钟发生器,通过校准时钟发生器的延迟时间,可以优化DAC的建立时间测试芯片已采用40nm标准CMOS工艺制造,并以2.048MS / s的转换速率实现了7.5-ENOB(有效位数)和8.75-fJ /转换步骤的品质因数(FoM)。

著录项

  • 来源
    《電子情報通信学会技術研究報告》 |2012年第169期|139-144|共6页
  • 作者单位

    慶應義塾大学理工学部電子工学科 〒223-8522 神奈川県横浜巿港北区日吉3-14-1;

    慶應義塾大学理工学部電子工学科 〒223-8522 神奈川県横浜巿港北区日吉3-14-1;

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  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 jpn
  • 中图分类
  • 关键词

    超低電圧; 超低消費電力; SAR; ADC;

    机译:超低电圧;超低消费电力;SAR;ADC;
  • 入库时间 2022-08-18 00:29:19

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