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[依賴講演]CWレーザァニール結晶化を用いたAMOLED駆動用ボトムゲート型TFT

机译:[Yoshiya Talk]使用CW激光退火结晶的AMOLED驱动的底栅型TFT

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摘要

TFT backplane technology for AMOLED applicable to Gen 8 mother glass was developed by integrating CW laser annealing into conventional bottom gate amorphous Si TFT process used in the fabrication of large size LCD panel. Novel coating channel etch stopper and gas-doped LDD structure achieved the same high TFT performance as LTPS with minimum increase of process steps.%大型液晶パネル量産に用いられているボトムゲート型アモルファスSi TFTプロセスにCWレーザァニール結晶化を導入することにより、第8世代ガラス基板対応可能なAMOLED用TFTバックプレーン技術を開発した。塗布型チャネルエッチストツバ層やガスドープLDD構造の導入により、工程数増加を最小限に抑制しつつLTPS同等のTFT性能を実現した。
机译:通过将CW激光退火技术集成到用于制造大型LCD面板的常规底栅非晶Si TFT工艺中,开发了适用于第8代母玻璃的AMOLED TFT背板技术,新型涂层沟道蚀刻停止层和气体掺杂LDD结构实现了相同的效果用于LTPS的高TFT性能,且工艺步骤最少。%用于通过将CW激光退火结晶引入底栅型非晶Si TFT工艺中来支持第八代玻璃基板的AMOLED,该工艺用于大规模生产大型液晶面板。开发了TFT背板技术。通过引入涂层型沟道蚀刻停止层和气体掺杂的LDD结构,我们实现了与LTPS相当的TFT性能,同时最大限度地减少了工艺数量的增加。

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