縦型GaNデバイスを目指したGaN基板の評価

摘要

Effects of dislocations in GaN substrates to leakage current have been evaluated using pn and Shottky diodes. The results revealed that the edge dislocations and mix dislocations don't induce the leakage current even at ＞lkV reverse bias.%10~5-10~6cm~(-2)の転位密度を有するGaN基板にpnダイォード，ショットキーダイオードを作製し，基板上下方向の電流リークと莨通転位の関係を評価した.その結果，刃状転位および刃状と蝶旋の混合転位はリークパスとならないことを確認した.