青色半導体レーザァニールによるポリイミド基板上薄膜シリコンの結晶化

摘要

Crystallization of a-Si films on polyimide substrate was achieved using Blue Multi-Laser Diode Annealing. Surface roughness of crystallized films was smooth, and the crystallinity was almost 100% with uniform grains size of〜50 nm.%青色半導体レーザを用いて、ポリイミド上に形成した薄膜シリコンの結晶化を試みた。レーザ照射によって表面平坦性を保ったまま結晶化に成功し、粒径50nm程度の均一な結晶粒をほぼ100%の結晶化率で得られることが分かった。