机译:用于声音投影仪的高耦合(1-; E;)Pb(Zn1 / 3Nb2 / 3)O3-(; E;)PbTiO3单晶的机电性能
Japan Ministry of Defense, Tokyo, Japan;
机译:电场和应力对[110]长度切割的[001]极化横向模式pb(zn1 / 3nb2 / 3)o3-(6-7)%pbtio3单晶中的极化和超极化现象的影响
机译:[011]极化菱面体Pb(Zn1 / 3Nb2 / 3)O3–(4.5-7)%PbTiO3单晶的性能矩阵
机译:单斜晶0.91Pb(Zn1 / 3Nb2 / 3)O-3-0-09PbTiO(3)单晶的机电性能之间的取向关系
机译:Pb(Mn1 / 3Nb2 / 3)O3-Pb(Zn1 / 3Nb2 / 3)O3- Pb(Zr0.52Ti0.48)O3陶瓷的晶格结构和压电性能
机译:Pb2V3O9的单晶生长以及磁和热性能。
机译:Pb(In1 ∕ 2Nb1 ∕ 2)O3-Pb(Mg1 ∕ 3Nb2 ∕ 3)O3-PbTiO3单晶的机电性能
机译:单畴0.67Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3)O-3-0.33 PbTiO3单晶薄膜的机电耦合系数
机译:四方BaTiO(sub 3)和pbTiO(sub 3)单晶的机电性能。