机译:碳化硅功率MOSFET模型和参数提取顺序
circuit simulation; electric admittance; power MOSFET; wide band gap semiconductors; 2 kV; 25 degC; 400 V; 5 A; DiMOSFET; SiC; compact circuit simulator; gate drive voltage; linear region transconductance; nonuniformly doped channel; parameter extraction sequence; sili;
机译:碳化硅功率MOSFET模型和参数提取顺序
机译:碳化硅功率MOSFET模型:基于Levenberg–Marquardt算法的精确参数提取方法
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