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机译:通过测量GaN功率晶体管的热行为来优化驱动器
Systemes et Applications des Technologies de l’Information et de l’Energie Laboratory, École Normale Supérieure de Cachan, France|c|;
Calorimetry; driver circuits; power converter; power semiconductor devices;
机译:AlGaN / GaN高电子 - 迁移率晶体管的热分析及其源桥型现场板结构的RF功率效率优化
机译:通过动态电热测量表征GaN高电子迁移率晶体管的热阻和电容
机译:电力电子设备用AlGaN / GaN场效应晶体管—有限的GaN层厚度对热特性的影响
机译:GaN功率晶体管损耗的热测量,以优化其驱动
机译:对于 氮化镓 功率晶体管A 智能 栅极驱动器 IC
机译:利用晶体管单元非对称功率组合的Ku波段50 W GaN HEMT功率放大器
机译:功率开关晶体管GaN MOSFET的驱动器
机译:用于射频(RF)功率和增益优化的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEmT)的物理分析