机译:宽带隙功率半导体器件调查
Institut de Microelectrònica de Barcelona-Centre Nacional de Microelectrònica (IMB-CNM), Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC), Universitat Autònoma de Barcelona, Barcelona, Spain|c|;
BJTs; GaN; HEMTs; IGBTs; JFETs; MOSFETs; SiC; diodes; power devices; thyristors; wide bandgap (WBG) semiconductors;
机译:具有宽带隙半导体器件电力电子系统EMI研究的调查
机译:浅氢掺杂剂和材料纯度对垂直电力电子器件的超宽带隙半导体的重要性
机译:使用GaAs以及宽带和超宽带隙半导体的智能功率器件和IC
机译:大功率应用的宽带隙半导体器件的建模和性能评估
机译:下一代电力电子宽带隙半导体器件的基于综合行为和物理学建模
机译:用于中频到高功率应用的宽带隙半导体开关装置的驱动电路综述
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