机译:非对称布局和不等结温对与开尔文源连接相平行SiC MOSFET的电流共享的影响
Xi An Jiao Tong Univ State Key Lab Elect Insulat & Power Equipment Xian 710049 Peoples R China;
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Asymmetric layout; current sharing; Kelvin-source connection; paralleled silicon carbide (SiC) MOSFETs; unequal junction temperature;
机译:基于导通饱和电流测量的SiC功率MOSFET结温估算方法
机译:阈值电压不相等的并联MOSFET之间峰值电流的无源平衡
机译:具有公共栅极驱动器的并联限流超结MOSFET中的均流建模
机译:改善并联SiC MOSFET瞬态电流共享的新屏蔽方法
机译:基于高电流高温SiC MOSFET的固态功率控制器的开发。
机译:房间温度Terhertz天线耦合钻孔SOI基温度传感器的性能比较:MOSFETPN结二极管和电阻器
机译:通过开启饱和电流测量的SiC功率MOSFET的结温估计方法
机译:在其有源区域中并联功率mOsFET:扩展的被动强制电流共享范围