机译:150 MeV质子辐照的肖特基CdTe二极管的激活特性
Dept. of Phys., Univ. of Tokyo, Japan;
cadmium compounds; wide band gap semiconductors; semiconductor counters; proton effects; Schottky diodes; leakage currents; Schottky CdTe diodes; high photon absorption efficiency; activation background level; energy resolution; leakage current; cali;
机译:“质子活化数据文件”研究能量高达150 MeV的质子辐照材料的活化和Trans变
机译:高温辐照对15MeV质子对电力SiC肖特基二极管特性的影响
机译:5.4 MeVα粒子辐照对4H-SiC上的镍肖特基二极管电性能的影响
机译:150 MeV质子辐照的肖特基CdTe二极管的激活特性
机译:0.4和铀M壳X射线产生的横截面,用于0.4–4.0 MeV质子,0.4–6.0 MeV氦离子,4.5–11.3 mev碳离子和4.5–13.5 MeV氧离子
机译:肖特基CdTe二极管中电子和空穴的迁移率和寿命的测量
机译:质子激活数据文件“以研究在能量上辐照的材料激活和嬗变,其能量高达150 mev
机译:800 mev质子辐照后低活化马氏体钢211 f82h和optimax的力学性能和微观结构