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机译:漏电流和阴极发光对边缘形态对探测器性能的影响研究
Crystal Growth Laboratory (CGL), Materials Physics Dept. Universidad Aut??noma de Madrid, Madrid, Spain;
Cadmium zinc telluride (CZT); gamma ray detection; leakage current; surface morphology; vertical gradient freeze (VGF);
机译:通过使用SU-8钝化减少表面泄漏电流来提高InAs / GaSb应变层超晶格探测器的性能
机译:过程对多孔微结构Si-PIN中子探测器泄漏电流的影响
机译:沟道注入变化对n沟道MOSFET中辐射引起的边漏电流的影响
机译:工艺变化对n沟道MOSFET中辐射引起的边缘泄漏电流的影响
机译:定向形态学梯度边缘检测器。
机译:面对对手珊瑚时蓝藻海绵体(形态变种:Hadromerida)在形态转化边缘的生理表现优于其他物种
机译:通过漏电流和阴极发光对边缘形态对探测器性能影响的研究