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机译:有源器件周围氧化物中的载流子传输对45 nm SOI SRAM中SEU的影响
CFD Research Corporation (CFDRC), Huntsville, Alabama, USA;
3D; formula formulatype='inline'tex Notation='TeX'${rm SiO}_{2}$/tex /formula carrier transport; TCAD; mixed-mode simulation; modeling; radiation response; silicon-on-Insulator (SOI); single-event upset (SEU);
机译:有源延迟元件电阻对SOI ADE / SRAM重离子SEU极限截面的限制
机译:通过器件仿真比较NMOS和PMOS晶体管对SRAM中SEU的灵敏度
机译:低于45nm FD / SOI SRAM的漏电和降低可变性的器件设计和优化方法
机译:有源器件周围氧化物中的载流子传输对45nm SOI SRAM中的SEE的影响
机译:纳米器件的器件建模和电路性能评估:超过45 nm节点的硅技术和碳纳米管场效应晶体管。
机译:围绕固定在丙烯酸载体上的青霉素G酰基转移酶活性位点周围的微环境的调节改善了头孢菌素的酶促合成
机译:对丙烯酸载体上固定的青霉素G酰基转移酶活性位点微环境的调节改善了头孢菌素的酶促合成