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机译:不同中子源的n-Si核反应的Geant4分析及其对软错误率的影响
Aix-Marseille Univ. and CNRS, Institute of Materials, Microelectronics and Nanosciences of Provence (IM2NP, UMR CNRS 6242), Marseille Cedex, France;
Cosmic-ray induced neutrons; Geant4; SRAM; multiple cell upset; neutron beam testing; single-event upset; soft-error rate; terrestrial neutron spectrum;
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机译:核反应模型对中子感应软错误率分析的影响
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