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机译:中子辐照对先前电应力的AlInN / GaN HEMT的电性能的影响
Tests & RADiat TRAD F-31670 Labege France;
Normandie Univ CNRS UNICAEN ENSICAEN GREYC Grp Rech Informat Image Automat & F-14000 Caen France;
Ecole Applicat Mil Energie Atom Blvd Bretonniere F-50115 Cherbourg Armees France;
Inst Elect Microaect & Nanotechnol F-59652 Villeneuve Dascq France;
AlInN/GaN HEMTs; electrical stress; electron traps; neutron irradiation effects; reliability;
机译:通过以低热中子辐射通量辐照AlGaN / GaN HEMT来消除电子陷阱效应
机译:中子辐照对AlInN / GaN HEMT中NGB应力引起的电子陷阱的影响
机译:AlInN / GaN HEMT的电性能。与具有类似工艺的AlGaN / GaN HEMT的比较
机译:中子辐照对AlInN / GaN HEMTs老化测试引起的电子陷阱的影响
机译:真空紫外线辐照对多孔低k有机硅玻璃的电性能的影响。
机译:不同修复方法对常关P-GaN HEMT电性能的影响
机译:alInN / GaN HEmT的电学性能。与具有相似工艺的alGaN / GaN HEmT的比较