...
机译:纳米棒与纳米粒子:Au / Zno-PMMA / Au非易失性存储器件的比较研究,显示纳米结构几何形状对传导机构的重要性和切换性能
Department of Physics and Mathematics University of Hull Hull U.K.;
Department of Physics and Mathematics University of Hull Hull U.K.;
Department of Physics and Mathematics University of Hull Hull U.K.;
Zinc oxide; II-VI semiconductor materials; Nanoscale devices; Optical switches; Electrodes; Memristors;
机译:Cu / SiC / Au非易失性电阻存储器件中的非极性电阻切换
机译:Cu / SiC / Au非易失性电阻存储器件中的非极性电阻切换
机译:聚乙烯吡咯烷酮中嵌入ZnO纳米颗粒的非易失性一次写入多次读取存储器件的电开关和导电机理
机译:导电聚合物包埋金纳米晶制造非易失性存储器的电流传导机理
机译:Au-WO3-x-Au器件的导电通道演变及其对电阻切换的影响
机译:Cu / siC / au非易失性电阻存储器件中的非极性电阻切换
机译:Ta sub 2 N - Cr - au和Ta sub 2 N - Cr - pd - au杂化金属化体系的比较 - Dc电性能,电阻器老化,耐腐蚀性和铬层耗尽研究。