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机译:微波GaAs MESFET栅极混合器的等增益轨迹和稳定性
机译:0.25- / spl mu / m栅GaAs MESFET和GaAs伪晶HEMT的微波性能的温度依赖性研究
机译:具有Au / WSiN T形栅极的完全离子注入GaAs MESFET的高微波和超低噪声性能
机译:使用三层深紫外光刻技术的半微米栅极离子注入GaAs MESFET的高DC和微波特性
机译:GaAs和InP材料之间晶格失配引起的缺陷对InP衬底上GaAs MESFETS的栅漏电流和微波噪声的影响
机译:用于低噪声应用的铜/钛金属化GaAs MESFET和HEMT的制造,测试和可靠性建模。
机译:高迁移率GaAs / AlGaAs 2D电子系统中回旋加速器在微波毫米波和太赫兹波段上的共振
机译:GAAS微波偏置栅极自对准MESFET及其应用
机译:Gaas mmIC混频器,用于8-12GHz,基于0.5微米栅极长度的D-mEsFETs。第1卷。设计和布局(Gaas mmIC混频器,8-12GHz,Gerealiseered met 0,5微米栅极冷却D-mEsFET.selel 1. Ontwerp en Layout)。