Measurement-based model parameters for quasi-optical electron device arrays

Sjogren L.B.; Liu H.-X.L.

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Measurement-based model parameters for quasi-optical electron device arrays

机译：准光学电子器件阵列的基于测量的模型参数

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Impedance element values for a Schottky beam control diode array are obtained by curve-fitting quasioptical reflection coefficient measurements to a series RLC array model. The model provides a good representation of the array behavior. Parameters of Schottky varactor arrays tested to-date are summarized. The technique should be applicable to other quasioptical arrays, as well.

机译：肖特基光束控制二极管阵列的阻抗元件值是通过将准光学反射系数测量值曲线拟合到串联RLC阵列模型而获得的。该模型很好地表示了阵列的行为。总结了迄今为止测试的肖特基变容二极管阵列的参数。该技术也应适用于其他准光学阵列。

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来源
《IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques》 |1995年第4期|P.899-901|共3页
作者
Sjogren L.B.; Liu H.-X.L.;
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作者单位

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收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类无线电电子学、电信技术;
关键词

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8. Nonlinear Dynamics of Quasi-Optical Device Arrays [R] . York, R. A. 1996

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