机译:MMIC准循环器的噪声和功率优化
机译:28和38 GHz Colpitts振荡器MMIC,具有低相位噪声,大功率和高DC到RF效率
机译:使用SiGe HBT的低噪声,低功耗无线前端MMIC
机译:适用于1.9 GHz单芯片前端MMIC的具有高功率效率和低噪声系数的埋线自对准GaAs MESFET
机译:低噪声,中等功率的MMIC准循环器
机译:InP HBT功率放大器MMIC在220GHz时可达到0.4W
机译:基于GaAs MMIC中双热流路径的n + GaAs / AuGeNi-Au热电偶型RF MEMS功率传感器
机译:在适用于CAD的时标上,首次展示了微波功率FET和MMIC的完全物理的,与时间相关的耦合电热仿真结果。这是通过将功率FET或MMIC中随时间变化的热流的原始分析热阻矩阵模型与晶体管的完全物理电CAD模型相结合来实现的。
机译:mmIC放大器技术最先进的技术:功率放大器和低噪声放大器