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机译:22-44-GHz相位阵列在45-NM CMOS SOI中接收波束形成器,适用于3-3.6-DB NF的5G应用
Univ Calif San Diego UCSD Elect & Comp Engn Dept La Jolla CA 92093 USA;
Univ Calif San Diego UCSD Elect & Comp Engn Dept La Jolla CA 92093 USA;
Wideband; Phased arrays; 5G mobile communication; Gain; Noise measurement; Impedance matching; 5G; millimeter wave; phased array; SOI; wideband beamformer;
机译:宽带22-44-GHz相位阵列波束形成器5G及更大
机译:具有3.7dB NF和−30dBc EVM,具有64-QAM / 500MBaud调制的45-nm CMOS SOI中的5G 28-GHz共腿T / R前端
机译:一种28-GHz CMOS相位阵列波束形成器利用支持双极化MIMO的中和双向技术,用于5G NR
机译:在45nm CMOS SOI中具有42dB增益,12dB增益,4dB NF和0dBm IIP3的42mW26-¿28GHz相控阵接收通道
机译:使用10至35 GHz六通道微带多路复用器的超宽带发射/接收模块及其在相控阵天线收发器系统中的应用。
机译:用于流体应用的基于SOI CMOS的多传感器MEMS芯片
机译:一种28-GHz CMOS相位阵列波束形成器利用支持双极化MIMO的中和双向技术,用于5G NR