Base-Stations; CMOS SOI; Phased arrays; Receivers;
机译:用于SDR接收器的0.07-3 GHz宽带前端,具有2.3 dB NF和12 dBm IIP3,在65 nm CMOS中
机译:6.75 mW($ + $)12.45 dBm IIP3 1.76 dB NF 0.9 GHz CMOS LNA,采用大偏置控制的多个门控晶体管
机译:22-44-GHz相位阵列在45-NM CMOS SOI中接收波束形成器,适用于3-3.6-DB NF的5G应用
机译:42MW 26 ??? 28 GHz相控阵接收通道,具有12 dB增益,4 dB NF和0 dBm IIP3,45nm CMOS SOI
机译:不带LNa的0.2至2.0GHz 65nm CmOs接收器实现> 11dBm IIp3和<6.5 dB NF