机译:深度潜艇平面和FinFET散装CMOS中MM波5G功率放大器的大功率发电
Intel Corp Hillsboro OR 97124 USA;
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FinFETs; Capacitance; Integrated circuit reliability; 5G mobile communication; CMOS technology; Bulk CMOS; distributed active transformer (DAT); FinFET; high-power amplifier (PA); millimeter-Wave (mm-Wave) 5G; power combining; reliability; stacked FET;
机译:用于MM波5G应用的大功率宽带多初级DOHTY功率放大器
机译:用于产生大功率毫米波的四通道平面有限元法(理论和实验问题)
机译:16纳米大容量FinFET CMOS工艺中基于感测放大器的触发器设计的单事件性能
机译:16 nm栅极平面CMOS与体FinFET的差分放大器动态特性的比较研究
机译:适用于5g移动通信的高效,线性可重新配置的毫米波CMOS功率放大器
机译:具有锁模结构的2.4 GHz CMOS功率放大器可增强增益
机译:适用于0.9V 28nm批量CMOS中的5G相控阵的29至57GHz AM-PM补偿AB类功率放大器