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机译:采用0.13-μmu文本{m} $ SiGe:C BiCMOS工艺的DC-90-GHz 4- $ V_ {mathrm {pp}} $调制器驱动器
Modulation; Capacitance; Power transmission lines; Bandwidth; Topology; BiCMOS integrated circuits; Metals;
机译:在0.25μmSiGe:C BiCMOS中与单片集成硅调制器一起实现了10 Gb / s 5 V-pp和5.6 V-pp驱动器
机译:具有2
机译:一种采用单极双掷分布式放大器的低开关损耗W波段辐射计,其分布范围为0.13-
机译:激光/调制器驱动器,采用0.35 / spl mu / m SiGe BiCMOS工艺,具有高达14-Gb / s的高调制输出
机译:在BICMOS过程中制造的SiGe APDS的设计,布局和测试
机译:在0.13-μmsige bicmos中的6-18 GHz 6位主动移相器