首页> 外文期刊>IEEE Transactions on Magnetics >Voltage-Current Hysteretic Characteristics in ME/Nd$_{0.7}$Ca $_{0.3}$MnO$_{3}$ Thin Films With ME <
【24h】

Voltage-Current Hysteretic Characteristics in ME/Nd$_{0.7}$Ca $_{0.3}$MnO$_{3}$ Thin Films With ME <

机译:ME / Nd $ _ {0.7} $ Ca $ _ {0.3} $ MnO $ _ {3} $含ME的薄膜的电压-电流磁滞特性<

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

In this work, different metal electrodes (ME) are sputtered on the surface of Nd0.7Ca0.3MnO3 thin films. The behavior of current-voltage (I-V) characteristics of these films is investigated. Among different metal electrodes, Au yields the smallest electrical hysteresis loop, while Cu generates the largest one. According to our analysis on the work function of each ME material, the result of ME-dependent I-V hysteresis loop can not be simply explained by the Schottky barrier. We propose that the electronnegativity of each ME material also plays a crucial role for the oxygen diffusion at interface. In conclusion, this study provides useful information for understanding the origin of I-V hysteresis loop and the principle of resistance switching in CMR manganites
机译:在这项工作中,在Nd0.7Ca0.3MnO3薄膜的表面上溅射了不同的金属电极(ME)。研究了这些膜的电流-电压(I-V)特性。在不同的金属电极中,Au产生最小的电滞回线,而Cu产生最大的电滞回线。根据我们对每种ME材料的功函数的分析,依赖于ME的I-V磁滞回线的结果不能简单地由肖特基势垒来解释。我们提出,每种ME材料的负电性也对界面处的氧扩散起着至关重要的作用。总之,这项研究为理解I-V磁滞回线的起源以及CMR锰矿中电阻转换的原理提供了有用的信息。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号