首页> 外文期刊>IEEE Transactions on Magnetics >Single Cooper-pair tunneling junctions using high-T/sub c/ superconducting materials
【24h】

Single Cooper-pair tunneling junctions using high-T/sub c/ superconducting materials

机译:使用高T / sub c /超导材料的单库珀对隧道结

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

We introduce the single electron (Cooper-pair) tunneling junctions using c-axis Bi/sub 2/Sr/sub 2/CaCu/sub 2/O/sub 8+d/ (Bi-2212) superconducting single crystal whiskers. Focused-ion-beam (FIB) etching patterned the Bi-2212 whiskers. The fabricated small stacked junctions have in-plane area S smaller than >1 /spl mu/m/sup 2/. The junctions showed current-voltage (I-V) characteristics with the periodic structure of current peaks. The stacking layered structure of Bi-2212 works as a multi-junction array which decreases the effective capacitance, C/sub /spl Sigma//=C/sub 0//N, where C/sub 0/ is the capacitance of the junction and N is the layer number of elementary junctions. The period of current peaks of I-V curves corresponds to the charging energy of the single Cooper pair, 2Ec (=e/sup 2//C/sub /spl Sigma//).
机译:我们介绍使用c轴Bi / sub 2 / Sr / sub 2 / CaCu / sub 2 / O / sub 8 + d /(Bi-2212)超导单晶晶须的单电子(Cooper-pair)隧道结。聚焦离子束(FIB)蚀刻对Bi-2212晶须进行了图案化处理。所制造的小的堆叠结的平面内面积S小于> 1 / spl mu / m / sup 2 /。结表现出具有电流峰值的周期性结构的电流-电压(I-V)特性。 Bi-2212的堆叠分层结构用作多结点阵列,可降低有效电容C / sub / spl Sigma // = C / sub 0 // N,其中C / sub 0 /是结的电容N是基本结的层数。 I-V曲线的电流峰值周期对应于单个Cooper对的充电能量2Ec(= e / sup 2 // C / sub / spl Sigma //)。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号