机译:具有低相位噪声和高相位精度的1.8GHz注入锁定正交CMOS VCO
CMOS integrated circuits; UHF oscillators; injection locked oscillators; integrated circuit noise; mixers (circuits); phase noise; voltage-controlled oscillators; 0.18 micron; 1.8 GHz; 1.8 V; 10 mA; 185 dB; 3 MHz; 600 kHz; CMOS technology; IBR measurements; image band r;
机译:具有低相位噪声和高相位精度的1.8GHz注入锁定正交CMOS VCO
机译:具有动态电流钳位耦合功能的5 GHz CMOS LC正交VCO,可改善相位噪声和相位精度
机译:使用优化的空心螺旋电感器的1.8 GHz低相位噪声CMOS VCO
机译:V波段低相位噪声低抖动子谐波注射锁定QVCO,具有高正交精度在90-NM CMOS过程中
机译:1 / f诱导的相位噪声建模和针对OFDM应用的低相位噪声RF CMOS VCO设计。
机译:28 nm CMOS LC振荡器电路拓扑中的相位噪声的比较分析:HartleyColpitts和共源交叉耦合差分对
机译:使用优化的空心螺旋电感器1.8GHz低相位噪声CMOS VCO