机译:具有过程变化补偿的0.008 $ {hbox {mm}} ^ {2} $ 500 $ mu {rm W} $ 469 kS / s基于频率数字转换器的CMOS温度传感器
Department of Electrical Engineering, Korea University, Seoul, Korea|c|;
Frequency-to-digital converter; process variation compensation; temperature sensor;
机译:366-kS / s 1.09-nJ 0.0013-$ {rm mm} ^ {2} $利用多相时钟的基于频率数字转换器的CMOS温度传感器
机译:一个基于非均匀量化器的0.5 V $
机译:基于0.45 V MOSFET的90 nm CMOS温度传感器前端,具有未经校准的$ pm hbox {3.5} ^ {circ} hbox {C} hbox {3} sigma $来自$ -hbox {55}的相对误差^ { circ} hbox {C} $至105 $ ^ {circ} hbox {C} $
机译:366KS / S 400UW 0.0013mm 2 sup>用于基于频率到数字转换器的CMOS温度传感器利用多相时钟
机译:补偿CMOS图像传感器中的工艺和温度相关性
机译:5800 - $ MU $ M2电阻的温度传感器,单点修剪±1.2°C($ 3 SIGMA $)的±1.2°C($ 3 SIGMA $),在65-NM CMOS中为105°C