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A 5800-$mu$ m2 Resistor-Based Temperature Sensor With a One-Point Trimmed Inaccuracy of ±1.2 °C ($3sigma$ ) From −50 °C to 105 °C in 65-nm CMOS

机译：5800 - $ MU $ M2电阻的温度传感器，单点修剪±1.2°C（$ 3 SIGMA $）的±1.2°C（$ 3 SIGMA $），在65-NM CMOS中为105°C

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Yongtae Lee; Woojun Choi; Taewoong Kim; Seungwoo Song; Kofi A. A. Makinwa; Youngcheol Chae;
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年度 2019
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1. A 5800- μ m2 Resistor-Based Temperature Sensor With a One-Point Trimmed Inaccuracy of ±1.2 °C ( 3σ ) From −50 °C to 105 °C in 65-nm CMOS [J] . Yongtae Lee, Woojun Choi, Taewoong Kim, . 2019,第9期

机译：基于5800微米电阻的温度传感器，单点修剪±1.2°C（3σ）的±1.2°C（3σ），在65-nm cmos中为105°C
2. A 1.2-V 10-$mu$ W NPN-Based Temperature Sensor in 65-nm CMOS With an Inaccuracy of 0.2 $^{circ}$ C (3$sigma$ ) From $-$ 70 $^{circ}$ C to 125 $^{circ}$ C [J] . Sebastiano F.Breems L. J.Makinwa K. A. A.Drago S.Leenaerts D. M. W.Nauta B. Solid-State Circuits, IEEE Journal of . 2010,第12期

机译：基于65-nm CMOS的基于1.2V10-μmuWW NPN的温度传感器，精度为0.2- $ 70 $ ^ $ circ（C $ 3）（$ 3））至125 $ ^ {circ} $ C
3. A 9-Bit Resistor-Based Highly Digital Temperature Sensor With a SAR-Quantization Embedded Differential Low-Pass Filter in 65-nm CMOS With a 2.5- [J] . Aili Wang, Chixiao Chen, Chang Liu, IEEE sensors journal . 2019,第17期

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4. 5.3 A Highly Digital 2210μm2 Resistor-Based Temperature Sensor with a 1-Point Trimmed Inaccuracy of ± 1.3 ° C (3 σ) from -55 ° C to 125 ° C in 65nm CMOS [C] . Jan A. Angevare, Youngcheol Chae, Kofi A. A. Makinwa IEEE International Solid- State Circuits Conference . 2021

机译：5.3高度数字2210μm2电阻的温度传感器，1点修剪±1.3°C（3σ）的1点，从-55°C为65nm CMO中的125°C
5. A CMOS-Thyristor Based Temperature Sensor with +0.37 °C/−0.32 °C Inaccuracy [O] . Jing Li, Yuyu Lin, Siyuan Ye, 2020

机译：基于CMOS晶闸管的温度传感器具有+0.37°C / -0.32°C的误差
6. A 5800-μm2 Resistor-Based Temperature Sensor With a One-Point Trimmed Inaccuracy of ±1.2 °C (3σ) From −50 °C to 105 °C in 65-nm CMOS [O] . Yongtae Lee, Woojun Choi, Taewoong Kim, 2019

机译：基于5800-μm2电阻的温度传感器，单点修剪±1.2°C（3σ）的±1.2°C（3σ），在65-nm cmos中为105°C

A 5800-$mu$ m2 Resistor-Based Temperature Sensor With a One-Point Trimmed Inaccuracy of ±1.2 °C ($3sigma$ ) From −50 °C to 105 °C in 65-nm CMOS

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