机译:高度可靠的高性能ReRAM和3位/单元MLC NAND闪存固态存储的设计方法
Research and Development Initiative, Chuo University, Tokyo, Japan;
Ash; Bit error rate; Electrical resistance measurement; Encoding; Reliability; Resistance; Video recording; 3-bit/cell multi-level cell; NAND flash memory; ReRAM; performance; reliability; storage;
机译:通过针对高可靠性和低功耗企业固态硬盘(SSD)的铁电(Fe)-NAND闪存存储器的存储单元V-TH优化,改善了读取干扰,程序干扰和数据保留
机译:非对称编程:基于MLC NAND闪存的传感器系统的高度可靠的元数据分配策略
机译:具有批量写入算法和智能数据存储到非易失性页面缓冲器的铁电(Fe)-NAND闪存,适用于数据中心应用的高速,高可靠性企业级固态硬盘
机译:具有新型有源气隙和p +多晶硅工艺集成技术的高度可靠的M1X MLC NAND闪存单元
机译:使用大规模NAND闪存的固态数据存储电路和系统。
机译:非对称编程:基于MLC NAND闪存的传感器系统的高度可靠的元数据分配策略
机译:非对称编程:基于mLC NaND闪存的传感器系统的高可靠元数据分配策略