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机译:InGaAs-AlAs-AlAsSb耦合量子阱中基于子带间跃迁的全光开关吸收动力学
III-V semiconductors; aluminium compounds; gallium arsenide; indium compounds; modules; optical saturable absorption; optical switches; quantum well devices; semiconductor quantum wells; two-photon processes; 16 pJ; 200 fs; InGaAs-AlAs-AlAsSb; InGaAs-AlAs-AlAsSb coup;
机译:InGaAs-AlAs-AlAsSb耦合量子阱中基于子带间跃迁的全光开关吸收动力学
机译:InGaAs / AlAs / AlAsSb量子阱中子带间跃迁的Tb / s全光切换的三种工作模式
机译:基于InGaAs / AlAsSb耦合双量子阱的子带间转换,使用Mach-Zehnder开关从160到40/80 Gb / s的全光解复用
机译:用于OTDM的具有低开关能量的InGaAs / AlAs / AlAsSb耦合量子子带间过渡全光开关
机译:氮化镓/氮化铝量子阱波导中基于子带间跃迁的超快全光切换
机译:CdSe胶体量子阱中的偏振近红外子带间吸收
机译:GaN / AlN多量子阱和基于氮化物的波导结构,可利用子带间跃迁实现超快全光开关
机译:InGaas-alassb-Inp量子阱中的近红外激光泵浦子带间THz激光增益