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Monolithically Integrated Silicon Photodiode-Based FIR Filter in 65 nm CMOS Technology

机译:采用65 nm CMOS技术的单片集成硅光电二极管FIR滤波器

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摘要

This letter presents a finite impulse response (FIR) filter utilizing segmented silicon (Si) photodiodes as a part of the filter for equalization. The filter utilizes an integrated Si photodiode divided into three segments which serve as current sources a
机译:这封信提出了一个有限脉冲响应(FIR)滤波器,该滤波器利用分段的硅(Si)光电二极管作为滤波器的一部分进行均衡。该滤波器使用集成的Si光电二极管,该光电二极管分为三个部分,分别用作电流源

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