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Corrections To 'Lasing Mechanism Of InGaN-GaN-AlGaN MQW Laser Diode Grown On SiC By Low-pressure Metal~organic Vapor Phase Epitaxy'

机译：对“低压金属-有机汽相外延生长在SiC上的InGaN-GaN-AlGaN MQW激光二极管的激发机理”的修正

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《IEEE journal of selected topics in quantum electronics》 |1998年第4期|P.803-803|共1页
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正文语种 eng
中图分类电工技术;
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